摘要:采用PIN二极管工艺技术,设计、制作了一种微波单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片,并给出了详细测试曲线。该开关由四级PIN二极管组成,采用单端匹配结构。工作频率8~10GHz,整个带内插入损耗小于0.7 dB,输出端口驻波比小于1.4:1,输入端口开关态驻波比均小于1.4:1,在9 GHz点频下测得1 dB压缩点输入功率大于31 dBm,芯片内部集成偏置电路,采用十5 V/—5 V供电,在+5 V工作条件下, 电流20mA。该芯片面积为2.0mmXl.4 mm。
作者: 贾玉伟1,2,许春良1,魏洪涛1,喻梦霞2,高学邦1 (1.中国电子科技集团公司第十三研究所, 石家庄 050051;2.电子科技大学,成都 610054)