摘要：采用PIN二极管工艺技术，设计、制作了一种微波单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片，并给出了详细测试曲线。该开关由四级PIN二极管组成，采用单端匹配结构。工作频率8～10GHz，整个带内插入损耗小于0．7 dB，输出端口驻波比小于1．4：1，输入端口开关态驻波比均小于1．4：1，在9 GHz点频下测得1 dB压缩点输入功率大于31 dBm，芯片内部集成偏置电路，采用十5 V／—5 V供电，在+5 V工作条件下， 电流20mA。该芯片面积为2．0mmXl．4 mm。
作者： 贾玉伟1，2，许春良1，魏洪涛1，喻梦霞2，高学邦1 (1．中国电子科技集团公司第十三研究所， 石家庄 050051；2．电子科技大学，成都 610054)