摘要：介绍了一种宽带开关耦合器芯片的研制。在GaAs pHEMT工艺平台上将宽带单刀双掷开关和兰格耦合器集成在一个芯片上，在实现二路功率分配功能的同时，还提供了在两个输出端，之间±90°相位切换的功能。该芯片频率范围覆盖6～18 GHz，在整个频带内插入损耗<3．7 dB，相位误差<14°，输入输出驻波比<1．8：1。芯片尺寸1．5 mm×3．0 mm×0．1 mm。详细描述了电路的设计流程，并提供最终的测试结果。该芯片具有频带宽、体积小、使用方便等特点，可应用于不同的微波系统。7@ved688
作者：刘文杰，吴洪江，高学邦 (中国电子科技集团公司 第十三研究所，石家庄 050051)7@ved688
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